Qualcomm Snapdragon 835 будет анонсирован на выставке потребительской электроники CES 2017, которая пройдет в Лас-Вегасе с 5 по 7 января, но уже сейчас нам стали известны характеристики данного процессора.
Snapdragon 835 разработан по 10-нм техпроцессу, при этом имеет 8 новых ядер Kryo 280. Если сравнить со Snapdragon 801, то новый процессор на 50% экономичнее в плане энергопотребления, что безусловно положительно скажется на время работы флагманов 2017 года.
Процессор использует 4 ядра на тактовой частоте 2,45 ГГц, а остальные 4 работают на 1,9 ГГц. Графический ускоритель Adreno 540 с поддержкой DX12, OpenGL ES и Vulkan API. Помимо этого, чип имеет в себе модули Hexagon 690 DSP, Spectra 180 и модем X16 LTE.
Сам процессор стал меньше по размеру, тем самым должен выделять меньшее количества тепла. Нужно отметить поддержку 4К-дисплеев с частотой развертки 60 Гц и воспроизведения контента в данном разрешении.
Ожидается, что флагман от Samsung Galaxy S8 получит данный процессор первым, ведь именно Samsung занимается выпуском процессоров Qualcomm. Анонс самого устройства необходимо ждать в феврале. Позже этот чип будет использован в Xiaomi Mi6, LG G6 и других устройствах.
Источник: gizmochina.com