Samsung начала массовое производство микросхем памяти GDDR6. Они будут использоваться для видеокарт следующего поколения, консолей, серверов и других устройств, где требуется высокая пропускная способность.
Эти чипы построены на техпроцессе 10 нм и имеют емкость 16 гигабит (2 гигабайта) — значительное улучшение по сравнению с 20 нм 8 гигабит (1 гигабайт) у GDDR5-чипов Samsung (которые вошли в серийное производство 3 года назад). Кроме того, уменьшена потребляемая мощность на 35% и достигается это тем, что новые чипы работают на напряжении 1.35 В вместо 1,55.
Система с 384-битной шиной памяти может достичь пропускной способности 864 Гбит/с, где память HBM2, используемая в некоторых современных графических процессорах высокого уровня. Более дешевая (и меньшая по мощности) 256-битная шина может достигать до 576 Гб/с, что делает её немного лучше 384-битной системы, которая использует чипы GDDR5.
Источник: gsmarena.com